Newsletter

Ich möchte den Newsletter der AC Distribution & Marketing GmbH mit Neuigkeiten, Gutscheinen und Aktionen per E-Mail erhalten und akzeptiere deren Datenschutzerklärung. Meine Daten werden keinesfalls an Dritte weitergegeben. Die Abmeldung ist jederzeit kostenlos möglich.

  • Sie verwenden einen veralteten Webbrowser, weshalb es zu Problemen mit der Darstellung kommen kann. Bei Problemen mit der Bestellabgabe können Sie gerne auch telefonisch bestellen unter: 01805 / 30 99 99 (0,14 €/Min., Mobil max. 0,42 €/Min.)

TDCV CHARACTERIZATION OF DEFECTS IN ULTRA THIN SIO2 KINDS OF FILMS

Rosaye:TDCV CHARACTERIZATION OF DEFECTS
Autor: Jean-Yves Rosaye
Verfügbarkeit: Derzeit leider nicht verfügbar. Sie kommen auf die Warteliste."
Artikelnummer: 1190499
ISBN / EAN: 9783838351544

Verfügbarkeit: sofort lieferbar

49,00 €
Inkl. 7% MwSt. , zzgl. Versandkosten

Ihre Kundenmeinung hinzufügen

Zusatzinformation

  • Autor:
  • Verlag: LAP Lambert Academic Publishing
  • ISBN / EAN: 9783838351544
  • Bindung: Taschenbuch

Produktbeschreibung

When a MOS structure (Metal Oxide Semiconductor) is subjected to an external perturbation, defects are generated in the oxide and at the oxide-semiconductor interface. If one can easily measure distinctively the interface states and the oxide s defects with the electrical method, it is difficult to separate between the different kinds of oxide s defects and to obtain a microscopic nature of these defects. In this work, we are using a procedure that we have defined and which derives from a capacitive method known under the name of Jenq method in order to get further information on the proceeding to separate the different types of oxide s defects. The originality of this subject is to evaluate the influence of the temperature on defects and to propose a novel characterization method based on the different energy activations of these defects. Especially, the temperature influence during the electrical stress on the slow-state creation has been shown for the first time. Relationships between the Oldham model and models dealing with Hydrogen diffusion species have been discussed. Calculus of different activation energies and various creation sections on very thin films have been done.

0 Kundenmeinungen

Bitte schreiben Sie uns Ihre Meinung zu: TDCV CHARACTERIZATION OF DEFECTS IN ULTRA THIN SIO2 KINDS OF FILMS

  • Wenn Sie dieses Eingabefeld sehen sollten, lassen Sie es leer!

Sie könnten auch an folgenden Produkten interessiert sein