MENÜ MENÜ
  • Sie verwenden einen veralteten Webbrowser, weshalb es zu Problemen mit der Darstellung kommen kann. Bei Problemen mit der Bestellabgabe können Sie gerne auch telefonisch bestellen unter: 01805 / 30 99 99 (0,14 €/Min., Mobil max. 0,42 €/Min.)

4H-Silicon Carbide MOSFET

Liu:4H-Silicon Carbide MOSFET
Autor: Gang Liu
Verfügbarkeit: Auf Lager.
Artikelnummer: 1273872
ISBN / EAN: 9783639712483

Verfügbarkeit: sofort lieferbar

59,90
Inkl. MwSt. , zzgl. Versandkosten

Zusatzinformation

  • Autor:
  • Verlag: Scholar's Press
  • ISBN / EAN: 9783639712483
  • Bindung: Taschenbuch

Produktbeschreibung

Silicon carbide is the only wide band gap semiconductor that has a native oxide, and a leading candidate for development of next-generation, energy efficient, high power metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Progress in this technology has been limited by the semiconductor-dielectric interface structure and its effect on the inversion layer mobility. The major objective of this work is to study and improve 4H-SiC MOSFET interface structure, defect states and inversion layer mobility on the (11-20) crystal face of SiC (a-face), employing nitrogen and phosphorous passivation. We also use these results to explore the effect of reactive ion etching on the a-face, an important aspect of processing optimum power devices. We correlate electrical measurements, i.e. current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) with physical characterization including X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM), transmission electron microscopy (TEM), secondary ion mass spectrometry (SIMS) and medium energy ion scattering (MEIS).

0 Kundenmeinungen

Bitte schreiben Sie uns Ihre Meinung zu: 4H-Silicon Carbide MOSFET

  • Wenn Sie dieses Eingabefeld sehen sollten, lassen Sie es leer!

Sie könnten auch an folgenden Produkten interessiert sein